據(jù)報道，紫光集團旗下長江存儲宣布，在上海中國國際半導(dǎo)體博覽會舉行前夕，已開始量產(chǎn)基于XtackingR架構(gòu)的64層“三階儲存單元”3D NAND閃存。

所謂3D NAND是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來，形成多層結(jié)構(gòu)提供容量，使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。相比傳統(tǒng)三維閃存架構(gòu)可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。

未來，隨著云計算、大數(shù)據(jù)、5G技術(shù)及AI智能的發(fā)展，人類對數(shù)據(jù)存儲要求越來越挑剔，三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領(lǐng)域。目前，存儲芯片市場競爭異常激烈。2018年，64層、72層的3D NAND閃存是主力產(chǎn)品，2019年開始量產(chǎn)92層、96層的產(chǎn)品，到2020年，各大廠商預(yù)計進入128層3D NAND閃存的量產(chǎn)。長江存儲64層三維閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)有望使中國存儲芯片自產(chǎn)率從8%提升至40%。在美日韓如三星、海力士、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等巨頭大廠壟斷下，長江存儲的64層3D NAND閃存量產(chǎn)消息別具一格。